美光宣布推出單條容量128GB的新一代DDR5內(nèi)存，同時(shí)將頻率做到了8000MHz，可謂又大又快，將于2024年投入量產(chǎn)。當(dāng)然，這不是消費(fèi)級(jí)UDIMM內(nèi)存，而是面向服務(wù)器的RIDMM內(nèi)存
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美光宣布推出單條容量128GB的新一代DDR5內(nèi)存，同時(shí)將頻率做到了8000MHz，可謂又大又快，將于2024年投入量產(chǎn)。
當(dāng)然，這不是消費(fèi)級(jí)UDIMM內(nèi)存，而是面向服務(wù)器的RIDMM內(nèi)存。
它基于單顆容量32Gb(4GB)的新型DDR5顆粒，容量密度增加45％。
如果使用雙芯封裝和TFF加高模組，很快就可以做到單條1TB。
制造工藝是成熟的1β，號(hào)稱能效比競品的3DS TSV硅穿孔方案高出最多24％。
通過利用先進(jìn)的CMOS工藝，以及陣列效率的不斷改進(jìn)，美光每過三年就會(huì)將內(nèi)存密度翻一番，未來將繼續(xù)向48Gb(6GB)、64Gb(8GB)邁進(jìn)。
預(yù)計(jì)到2026年，美光將推出單條256GB甚至更大容量的MRDIMM，頻率也高達(dá)12800MHz。
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