聞泰科技取得階段性重大進展自主設計研發IGBT系列產品流片成功(聞泰科技再創階段新低)

吉吉 — Sat, 09 Apr 2022 01:10:49 +0000

【手機之家**】3月9日，聞泰科技股份有限公司日前宣布，旗下專注高壓功率器件、模擬 IC 等新產品研發方向的全資子公司 Nexperia B.V.（“安世半導體”）自主設計研發的絕緣柵雙極晶體管（Insulated GateBipolar Transistor ，以下簡稱“IGBT”）系列產品已流片成功，取得階段性重大進展，各項參數均達到設計要求。

據了解，IGBT是電源轉換的核心器件，也是新能源與節能低碳經濟的主要支撐技術，具有開關速度快、載流密度大等特點，并擁有廣泛的應用市場，主要面向新能源汽車、光伏/風力發電、智能電網、大功率電源、工業控制、家電產品等領域。其市場空間大、技術壁壘高且注重工程師經驗和品牌口碑積累，是半導體里的優質賽道。

目前，IGBT 流片成功后，仍需經過客戶驗證，后續量產計劃具有不確定性。

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聞泰科技取得階段性重大進展 自主設計研發IGBT系列產品流片成功(聞泰科技再創階段新低)

聞泰科技取得階段性重大進展自主設計研發IGBT系列產品流片成功(聞泰科技再創階段新低)