《最終幻想7:重生》在PS5上將占用大量硬盤空間,你至少需要為它騰出150GB的硬盤空間。
在接受Game
Informer采訪時(shí),游戲?qū)а轂I口直樹表示《最終幻想7:重生》需要兩個(gè)單獨(dú)的光碟。雖然PS5光碟最多可處理100GB數(shù)據(jù)(值得一提的是,PS5 SSD實(shí)際可用空間不到700GB),但游戲還需要一張光碟,來裝剩下的50GB。
之所以要兩張碟,這是因?yàn)殚_發(fā)團(tuán)隊(duì)想打造一個(gè)更細(xì)膩的世界。一張光碟根本不能實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),而且有可能影響品質(zhì),迫使設(shè)計(jì)人員在內(nèi)容和想法上“縮水”。
他還確認(rèn),和原作不同,粉絲只需要使用兩個(gè)光盤下載一次游戲,然后他們不需要在游戲中換盤,只需要一張光碟就能享受游戲。
《最終幻想7:重生》將在PS5上獨(dú)占至少3個(gè)月。
好了,以上就是小編帶來的游戲資訊,祝大家游戲愉快!
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槍神2
目前,華碩已經(jīng)在官方商城正式開賣了兩款游戲本新品, 其中 槍神2 13999元(GTX 1060)和15999元(GTX 1070), 魔霸2 1399元(GTX 1060)。
亮點(diǎn)特性上, 槍神 II和ROG魔霸 II均獨(dú)占首發(fā)了來自友達(dá)的144Hz超窄邊框顯示屏(3ms GTG灰階響應(yīng)時(shí)間);鍵盤四區(qū)背光、全鍵無沖、左上角有四個(gè)熱鍵、支持Aura Sync(神光同步);支持802.11ac Wave2千兆Wi-Fi,4天線覆蓋**角等。
核心配置方面,兩款產(chǎn)品均搭載i7-8750H標(biāo)壓處理器,6核12線程,15.6寸1080P 144Hz霧面屏,80%屏占比,覆蓋100% sRGB色域;標(biāo)配16GB DDR4-2666雙通道內(nèi)存(可擴(kuò)展32G),256GB M.2 SSD+1TB 機(jī)械硬盤(5400轉(zhuǎn)),雙風(fēng)扇三熱管(GTX 1070是五熱管),支持藍(lán)牙5.0。
外部接口方面,有1個(gè)U** 3.1 Type-C(10Gbps)、2個(gè)U** 3.1傳統(tǒng)接口、1個(gè)U** 3.1 Gen2傳統(tǒng)接口(10Gbps),1個(gè)千兆網(wǎng)口,1個(gè)miniDP,一個(gè)HDMI等。(來源:驅(qū)動(dòng)之家)
本文原作者為陳冰帆,轉(zhuǎn)載請注明:出處!如該文有不妥之處,請聯(lián)系站長刪除,謝謝合作~
最早期的硬盤**技術(shù)起源于1992年,IBM在AS/400計(jì)算機(jī)的IBM 0662 SCSI 2代硬盤驅(qū)動(dòng)器中使用了后來被命名為Predictive Failure **ysis(故障預(yù)警分析技術(shù))的**技術(shù),它是通過在固件中測量幾個(gè)重要的硬盤安全參數(shù)和評估他們的情況,然后由**軟件得出兩種結(jié)果:“硬盤安全”或“不久后會發(fā)生故障”。-
不久,當(dāng)時(shí)的微機(jī)制造商康柏和硬盤制造商希捷、昆騰以及康納共同提出了名為IntelliSafe的類似技術(shù)。通過該技術(shù),硬盤可以測量自身的的健康指標(biāo)并將參量值傳送給**作系統(tǒng)和用戶的**軟件中,每個(gè)硬盤生產(chǎn)商有權(quán)決定哪些指標(biāo)需要被**以及設(shè)定它們的安全閾值。-
1995年,康柏公司將該技術(shù)方案提交到**all Form Factor(SFF)委員會進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化,該方案得到IBM、希捷、昆騰、康納和西部數(shù)據(jù)的支持,1996年6月進(jìn)行了1.3版的修正,正式更名為S.M.A.R.T.(Self-Monitoring **ysis And Reporting Technology),全稱就是“自我檢測分析與報(bào)告技術(shù)”,成為一種自動(dòng)**硬盤驅(qū)動(dòng)器完好狀況和報(bào)告潛在問題的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。-
作為行業(yè)規(guī)范,**ART規(guī)定了硬盤制造廠商應(yīng)遵循的標(biāo)準(zhǔn),滿足**ART標(biāo)準(zhǔn)的條件主要包括:-
1)在設(shè)備制造期間完成**ART需要的各項(xiàng)參數(shù)、屬性的設(shè)定;-
2)在特定系統(tǒng)平臺下,能夠正常使用**ART;通過BIOS檢測,能夠識別設(shè)備是否支持**ART并可顯示相關(guān)信息,而且能辨別有效和失效的**ART信息;-
3)允許用戶自由開啟和關(guān)閉**ART功能;-
4)在用戶使用過程中,能提供**ART的各項(xiàng)有效信息,確定設(shè)備的工作狀態(tài),并能發(fā)出相應(yīng)的修正指令或警告。在硬盤及**作系統(tǒng)都支持**ART技術(shù)并且開啟的情況下,若硬盤狀態(tài)不良,**ART技術(shù)能夠在屏幕上顯示英文警告信息:“WARNING:IMMEDIATLY BACKUP YOUR DATA AND REPLACE YOUR HARD DISK DRIVE,A FAILURE MAY BE IMMINENT.”(警告:立刻備份你的數(shù)據(jù)并更換硬盤,硬盤可能失效。)-
**ART功能不斷從硬盤上的各個(gè)傳感器收集信息,并把信息保存在硬盤的系統(tǒng)保留區(qū)(service area)內(nèi),這個(gè)區(qū)域一般位于硬盤0物理面的最前面幾十個(gè)物理磁道,由廠商寫入相關(guān)的內(nèi)部管理程序。這里除了**ART信息表外還包括低級格式化程序、加密解密程序、自**程序、自動(dòng)修復(fù)程序等。用戶使用的監(jiān)測軟件通過名為“**ART Return Status”的命令(命令代碼為:B0h)對**ART信息進(jìn)行讀取,且不允許最終用戶對信息進(jìn)行修改。-
硬盤**ART檢測的ID代碼以兩位十六進(jìn)制數(shù)表示(括號里對應(yīng)的是十進(jìn)制數(shù))硬盤的各項(xiàng)檢測參數(shù)。目前,各硬盤制造商的絕大部分**ART ID代碼所代表的參數(shù)含義是一致的,但廠商也可以根據(jù)需要使用不同的ID代碼,或者根據(jù)檢測項(xiàng)目的多少增減ID代碼。一般來說,以下這些檢測項(xiàng)是必需的:-
01(001) 底層數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤率 Raw Read Error Rate-
04(004) 啟動(dòng)/停止計(jì)數(shù) Start/Stop Count-
05(005) 重映射扇區(qū)數(shù) Relocated Sector Count-
09(009) 通電時(shí)間累計(jì) Power-On Time Count (POH)-
0A(010) 主軸起旋重試次數(shù)(即硬盤主軸電機(jī)啟動(dòng)重試次數(shù)) Spin up Retry Count-
0B(011) 磁盤校準(zhǔn)重試次數(shù) Calibration Retry Count-
0C(012) 磁盤通電次數(shù) Power Cycle Count-
C2(194) 溫度 Temperature-
C7(199) ULTRA DMA奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤率 ULTRA ATA CRC Error Rate-
C8(200) 寫錯(cuò)誤率 Write Error Rate-
描述,即某一檢測項(xiàng)目的名稱,是ID代碼的文字解釋。對用戶而言,不僅要了解描述的含義,重要的是要了解各參數(shù)的值如“臨界值”、“最差值”的定義,“當(dāng)前值”與“數(shù)據(jù)值”的區(qū)別等,才能對自己的硬盤狀態(tài)有一個(gè)基本了解。-
1、臨界值(Threshold)-
臨界值是硬盤廠商指定的表示某一項(xiàng)目可靠性的門限值,也稱閾值,它通過特定公式計(jì)算而得。如果某個(gè)參數(shù)的當(dāng)前值接近了臨界值,就意味著硬盤將變得不可靠,可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或者硬盤故障。由于臨界值是硬盤廠商根據(jù)自己產(chǎn)品特性而確定的,因此用廠商提供的專用檢測軟件往往會跟Windows下檢測軟件的檢測結(jié)果有較大出入。-
以參數(shù)Raw Read Error Rate(底層數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤率)為例:某型硬盤對該參數(shù)的計(jì)算公式為“10×log10(主機(jī)和硬盤之間所傳輸數(shù)據(jù)的扇區(qū)數(shù))×512×8/重讀的扇區(qū)數(shù)”。其中“512×8”是把扇區(qū)數(shù)轉(zhuǎn)化為所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位(bits),這個(gè)值只在所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位處于1010~1012范圍時(shí)才作計(jì)算,而當(dāng)Windows系統(tǒng)啟動(dòng)后,主機(jī)和硬盤之間所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)扇區(qū)大于或等于1012時(shí),此值將重新復(fù)位,所以有些值在不同的**作環(huán)境、不同檢測程序下時(shí)會有較大的波動(dòng)。-
2、當(dāng)前值(Normalized value)-
當(dāng)前值是各ID項(xiàng)在硬盤運(yùn)行時(shí)根據(jù)實(shí)測數(shù)據(jù)通過公式計(jì)算的結(jié)果,計(jì)算公式由硬盤廠家自定。-
硬盤出廠時(shí)各ID項(xiàng)目都有一個(gè)預(yù)設(shè)的最大正常值,也即出廠值,這個(gè)預(yù)設(shè)的依據(jù)及計(jì)算方法為硬盤廠家保密,不同型號的硬盤都不同,最大正常值通常為100或200或253,新硬盤剛開始使用時(shí)顯示的當(dāng)前值可以認(rèn)為是預(yù)設(shè)的最大正常值(有些ID項(xiàng)如溫度等除外)。隨著使用損耗或出現(xiàn)錯(cuò)誤,當(dāng)前值會根據(jù)實(shí)測數(shù)據(jù)而不斷刷新并逐漸減小。因此,當(dāng)前值接近臨界值就意味著硬盤壽命的減少,發(fā)生故障的可能性增大,所以當(dāng)前值也是判定硬盤健康狀態(tài)或推測壽命的依據(jù)之一。-
3、最差值(Worst)-
最差值是硬盤運(yùn)行時(shí)各ID項(xiàng)曾出現(xiàn)過的最大的非正常值。-
最差值是對硬盤運(yùn)行中某項(xiàng)數(shù)據(jù)變劣的峰值統(tǒng)計(jì),該數(shù)值也會不斷刷新。通常,最差值與當(dāng)前值是相等的,如果最差值出現(xiàn)較大的波動(dòng)(小于當(dāng)前值),表明硬盤曾出現(xiàn)錯(cuò)誤或曾經(jīng)歷過惡劣的工作環(huán)境(如溫度)。-
4、數(shù)據(jù)值(Data或Raw value)-
數(shù)據(jù)值是硬盤運(yùn)行時(shí)各項(xiàng)參數(shù)的實(shí)測值,大部分**ART工具以十進(jìn)制顯示數(shù)據(jù)。-
數(shù)據(jù)值代表的意義隨參數(shù)而定,大致可以分為三類:-
1)數(shù)據(jù)值并不直接反映硬盤狀態(tài),必須經(jīng)過硬盤內(nèi)置的計(jì)算公式換算成當(dāng)前值才能得出結(jié)果;-
2)數(shù)據(jù)值是直接累計(jì)的,如Start/Stop Count(啟動(dòng)/停止計(jì)數(shù))的數(shù)據(jù)是50,即表示該硬盤從出廠到現(xiàn)在累計(jì)啟停了50次;-
3)有些參數(shù)的數(shù)據(jù)是即時(shí)數(shù),如Temperature(溫度)的數(shù)據(jù)值是44,表示硬盤的當(dāng)前溫度是44℃。-
因此,有些參數(shù)直接查看數(shù)據(jù)也能大致了解硬盤目前的工作狀態(tài)。-
硬盤的每項(xiàng)**ART信息中都有一個(gè)臨界值(閾值),不同硬盤的臨界值是不同的,**ART針對各項(xiàng)的當(dāng)前值、最差值和臨界值的比較結(jié)果以及數(shù)據(jù)值進(jìn)行分析后,提供硬盤當(dāng)前的評估狀態(tài),也是我們直觀判斷硬盤健康狀態(tài)的重要信息。根據(jù)**ART的規(guī)定,狀態(tài)一般有正常、警告、故障或錯(cuò)誤三種狀態(tài)。-
**ART判定這三個(gè)狀態(tài)與**ART的 Pre-failure/a**isory BIT(預(yù)測錯(cuò)誤/發(fā)現(xiàn)位)參數(shù)的賦值密切相關(guān),當(dāng)Pre-failure/a**isory BIT=0,并且當(dāng)前值、最差值遠(yuǎn)大于臨界值的情況下,為正常標(biāo)志。當(dāng)Pre-failure/a**isory BIT=0,并且當(dāng)前值、最差值大于但接近臨界值時(shí),為警告標(biāo)志;當(dāng)Pre-failure/a**isory BIT=1,并且當(dāng)前值、最差值小于臨界值時(shí),為故障或錯(cuò)誤標(biāo)志。-
一般情況下,用戶只要觀察當(dāng)前值、最差值和臨界值的關(guān)系,并注意狀態(tài)提示信息即可大致了解硬盤的健康狀況。下面簡單介紹各參數(shù)的含義,以紅色標(biāo)出的項(xiàng)目是壽命關(guān)鍵項(xiàng),藍(lán)色為固態(tài)硬盤(SSD)特有的項(xiàng)目。-
在基于閃存的固態(tài)硬盤中,存儲單元分為兩類:SLC(Single Layer Cell,單層單元)和MLC(Multi-Level Cell,多層單元)。SLC成本高、容量小、但讀寫速度快,可靠性高,擦寫次數(shù)可高達(dá)100000次,比MLC高10倍。而MLC雖容量大、成本低,但其性能大幅落后于SLC。為了保證MLC的壽命,控制芯片還要有智能磨損平衡技術(shù)算法,使每個(gè)存儲單元的寫入次數(shù)可以平均分?jǐn)?,以達(dá)到100萬小時(shí)的平均無故障時(shí)間。因此固態(tài)硬盤有許多**ART參數(shù)是機(jī)械硬盤所沒有的,如存儲單元的擦寫次數(shù)、備用塊統(tǒng)計(jì)等等,這些新增項(xiàng)大都由廠家自定義,有些尚無詳細(xì)的解釋,有些解釋也未必準(zhǔn)確,此處也只是僅供參考。下面凡未注明廠商的固態(tài)硬盤特有的項(xiàng)均為SandForce主控芯片特有的,其它廠商各自單獨(dú)注明。-
01(001)底層數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤率 Raw Read Error Rate–
數(shù)據(jù)為0或任意值,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值。-
底層數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤率是磁頭從磁盤表面讀取數(shù)據(jù)時(shí)出現(xiàn)的錯(cuò)誤,對某些硬盤來說,大于0的數(shù)據(jù)表明磁盤表面或者讀寫磁頭發(fā)生問題,如介質(zhì)損傷、磁頭污染、磁頭共振等等。不過對希捷硬盤來說,許多硬盤的這一項(xiàng)會有很大的數(shù)據(jù)量,這不代表有任何問題,主要是看當(dāng)前值下降的程度。-
在固態(tài)硬盤中,此項(xiàng)的數(shù)據(jù)值包含了可校正的錯(cuò)誤與不可校正的RAISE錯(cuò)誤(UECC+URAISE)。-
注:RAISE(Redundant Array of Independent Silicon Elements)意為**硅元素冗余陣列,是固態(tài)硬盤特有的一種冗余恢復(fù)技術(shù),保證內(nèi)部有類似RAID陣列的數(shù)據(jù)安全性。-
02(002)磁盤讀寫通量性能 Throughput Performance–
此參數(shù)表示硬盤的讀寫通量性能,數(shù)據(jù)值越大越好。當(dāng)前值如果偏低或趨近臨界值,表示硬盤存在嚴(yán)重的問題,但現(xiàn)在的硬盤通常顯示數(shù)據(jù)值為0或根本不顯示此項(xiàng),一般在進(jìn)行了人工脫機(jī)**ART測試后才會有數(shù)據(jù)量。-
03(003)主軸起旋時(shí)間 Spin Up Time–
主軸起旋時(shí)間就是主軸電機(jī)從啟動(dòng)至達(dá)到額定轉(zhuǎn)速所用的時(shí)間,數(shù)據(jù)值直接顯示時(shí)間,單位為毫秒或者秒,因此數(shù)據(jù)值越小越好。不過對于正常硬盤來說,這一項(xiàng)僅僅是一個(gè)參考值,硬盤每次的啟動(dòng)時(shí)間都不相同,某次啟動(dòng)的稍慢些也不表示就有問題。-
硬盤的主軸電機(jī)從啟動(dòng)至達(dá)到額定轉(zhuǎn)速大致需要4秒~15秒左右,過長的啟動(dòng)時(shí)間說明電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路或者軸承機(jī)構(gòu)有問題。旦這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些型號的硬盤上總是為0,這就要看當(dāng)前值和最差值來判斷了。-
對于固態(tài)硬盤來說,所有的數(shù)據(jù)都是保存在半導(dǎo)體集成電路中,沒有主軸電機(jī),所以這項(xiàng)沒有意義,數(shù)據(jù)固定為0,當(dāng)前值固定為100。-
04(004)啟停計(jì)數(shù) Start/Stop Count–
這一參數(shù)的數(shù)據(jù)是累計(jì)值,表示硬盤主軸電機(jī)啟動(dòng)/停止的次數(shù),新硬盤通常只有幾次,以后會逐漸增加。系統(tǒng)的某些功能如空閑時(shí)關(guān)閉硬盤等會使硬盤啟動(dòng)/停止的次數(shù)大為增加,在排除定時(shí)功能的影響下,過高的啟動(dòng)/停止次數(shù)(遠(yuǎn)大于通電次數(shù)0C)暗示硬盤電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)電路可能有問題。-
這個(gè)參數(shù)的當(dāng)前值是依據(jù)某種公式計(jì)算的結(jié)果,例如對希捷某硬盤來說臨界值為20,當(dāng)前值是通過公式“100-(啟停計(jì)數(shù)/1024)”計(jì)算得出的。若新硬盤的啟停計(jì)數(shù)為0,當(dāng)前值為100-(0/1024)=100,隨著啟停次數(shù)的增加,該值不斷下降,當(dāng)啟停次數(shù)達(dá)到81920次時(shí),當(dāng)前值為100-(81920/1024)=20,已達(dá)到臨界值,表示從啟停次數(shù)來看,該硬盤已達(dá)設(shè)計(jì)壽命,當(dāng)然這只是個(gè)壽命參考值,并不具有確定的指標(biāo)性。-
這一項(xiàng)對于固態(tài)硬盤同樣沒有意義,數(shù)據(jù)固定為0,當(dāng)前值固定為100。-
05(005)重映射扇區(qū)計(jì)數(shù) Reallocated Sectors Count/ 退役塊計(jì)數(shù) Retired Block Count–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。-
當(dāng)硬盤的某扇區(qū)持續(xù)出現(xiàn)讀/寫/校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí),硬盤固件程序會將這個(gè)扇區(qū)的物理地址加入缺陷表(G-list),將該地址重新定向到預(yù)先保留的備用扇區(qū)并將其中的數(shù)據(jù)一并轉(zhuǎn)移,這就稱為重映射。執(zhí)行重映射**作后的硬盤在Windows常規(guī)檢測中是無法發(fā)現(xiàn)不良扇區(qū)的,因其地址已被指向備用扇區(qū),這等于屏蔽了不良扇區(qū)。-
這項(xiàng)參數(shù)的數(shù)據(jù)值直接表示已經(jīng)被重映射扇區(qū)的數(shù)量,當(dāng)前值則隨著數(shù)據(jù)值的增加而持續(xù)下降。當(dāng)發(fā)現(xiàn)此項(xiàng)的數(shù)據(jù)值不為零時(shí),要密切注意其發(fā)展趨勢,若能長期保持穩(wěn)定,則硬盤還可以正常運(yùn)行;若數(shù)據(jù)值不斷上升,說明不良扇區(qū)不斷增加,硬盤已處于不穩(wěn)定狀態(tài),應(yīng)當(dāng)考慮更換了。如果當(dāng)前值接近或已到達(dá)臨界值(此時(shí)的數(shù)據(jù)值并不一定很大,因?yàn)椴煌脖P保留的備用扇區(qū)數(shù)并不相同),表示缺陷表已滿或備用扇區(qū)已用盡,已經(jīng)失去了重映射功能,再出現(xiàn)不良扇區(qū)就會顯現(xiàn)出來并直接導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。-
這一項(xiàng)不僅是硬盤的壽命關(guān)鍵參數(shù),而且重映射扇區(qū)的數(shù)量也直接影響硬盤的性能,例如某些硬盤會出現(xiàn)數(shù)據(jù)量很大,但當(dāng)前值下降不明顯的情況,這種硬盤盡管還可正常運(yùn)行,但也不宜繼續(xù)使用。因?yàn)閭溆蒙葏^(qū)都是位于磁盤尾部(靠近盤片軸心處),大量的使用備用扇區(qū)會使尋道時(shí)間增加,硬盤性能明顯下降。-
這個(gè)參數(shù)在機(jī)械硬盤上是非常敏感的,而對于固態(tài)硬盤來說同樣具有重要意義。閃存的壽命是正態(tài)分布的,例如說MLC能寫入一萬次以上,實(shí)際上說的是寫入一萬次之前不會發(fā)生“批量損壞”,但某些單元可能寫入幾十次就損壞了。換言之,機(jī)械硬盤的盤片不會因讀寫而損壞,出現(xiàn)不良扇區(qū)大多與工藝質(zhì)量相關(guān),而閃存的讀寫次數(shù)則是有限的,因而損壞是正常的。所以固態(tài)硬盤在制造時(shí)也保留了一定的空間,當(dāng)某個(gè)存儲單元出現(xiàn)問題后即把損壞的部分隔離,用好的部分來頂替。這一替換方法和機(jī)械硬盤的扇區(qū)重映射是一個(gè)道理,只不過機(jī)械硬盤正常時(shí)極少有重映射**作,而對于固態(tài)硬盤是經(jīng)常性的。-
在固態(tài)硬盤中這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)會隨著使用而不斷增長,只要增長的速度保持穩(wěn)定就可以。通常情況下,數(shù)據(jù)值=100-(100×被替換塊/必需塊總數(shù)),因此也可以估算出硬盤的剩余壽命。-
Intel固態(tài)硬盤型號的第十二個(gè)字母表示了兩種規(guī)格,該字母為1表示第一代的50納米技術(shù)的SSD,為2表示第二代的34納米技術(shù)的SSD,如SSDSA2M160G2GN就表示是34nm的SSD。所以參數(shù)的查看也有兩種情況:-
50nm的SSD(一代)要看當(dāng)前值。這個(gè)值初始是100,當(dāng)出現(xiàn)替換塊的時(shí)候這個(gè)值并不會立即變化,一直到已替換四個(gè)塊時(shí)這個(gè)值變?yōu)?,之后每增加四個(gè)塊當(dāng)前值就+1。也就是100對應(yīng)0~3個(gè)塊,1對應(yīng)4~7個(gè)塊,2對應(yīng)8~11個(gè)塊……-
34nm的SSD(二代)直接查看數(shù)據(jù)值,數(shù)據(jù)值直接表示有多少個(gè)被替換的塊。-
06(006)讀取通道余量 Read Channel Margin–
這一項(xiàng)功能不明,現(xiàn)在的硬盤也不顯示這一項(xiàng)。-
07(007)尋道錯(cuò)誤率 Seek Error Rate–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值。-
這一項(xiàng)表示磁頭尋道時(shí)的錯(cuò)誤率,有眾多因素可導(dǎo)致尋道錯(cuò)誤率上升,如磁頭組件的機(jī)械系統(tǒng)、伺服電路有局部問題,盤片表面介質(zhì)不良,硬盤溫度過高等等。-
通常此項(xiàng)的數(shù)據(jù)應(yīng)為0,但對希捷硬盤來說,即使是新硬盤,這一項(xiàng)也可能有很大的數(shù)據(jù)量,這不代表有任何問題,還是要看當(dāng)前值是否下降。-
08(008)尋道性能 Seek Time Performance–
此項(xiàng)表示硬盤尋道**作的平均性能(尋道速度),通常與前一項(xiàng)(尋道錯(cuò)誤率)相關(guān)聯(lián)。當(dāng)前值持續(xù)下降標(biāo)志著磁頭組件、尋道電機(jī)或伺服電路出現(xiàn)問題,但現(xiàn)在許多硬盤并不顯示這一項(xiàng)。-
09(009)通電時(shí)間累計(jì) Power-On Time Count (POH)–
這個(gè)參數(shù)的含義一目了然,表示硬盤通電的時(shí)間,數(shù)據(jù)值直接累計(jì)了設(shè)備通電的時(shí)長,新硬盤當(dāng)然應(yīng)該接近0,但不同硬盤的計(jì)數(shù)單位有所不同,有以小時(shí)計(jì)數(shù)的,也有以分、秒甚至30秒為單位的,這由磁盤制造商來定義。-
這一參數(shù)的臨界值通常為0,當(dāng)前值隨著硬盤通電時(shí)間增加會逐漸下降,接近臨界值表明硬盤已接近預(yù)計(jì)的設(shè)計(jì)壽命,當(dāng)然這并不表明硬盤將出現(xiàn)故障或立即報(bào)廢。參考磁盤制造商給出的該型號硬盤的MTBF(平均無故障時(shí)間)值,可以大致估計(jì)剩余壽命或故障概率。-
對于固態(tài)硬盤,要注意“設(shè)備優(yōu)先電源管理功能(device initiated power management,DIPM)”會影響這個(gè)統(tǒng)計(jì):如果啟用了DIPM,持續(xù)通電計(jì)數(shù)里就不包括睡眠時(shí)間;如果關(guān)閉了DIPM功能,那么活動(dòng)、空閑和睡眠三種狀態(tài)的時(shí)間都會被統(tǒng)計(jì)在內(nèi)。-
0A(010)主軸起旋重試次數(shù) Spin up Retry Count–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)大于臨界值。-
主軸起旋重試次數(shù)的數(shù)據(jù)值就是主軸電機(jī)嘗試重新啟動(dòng)的計(jì)數(shù),即主軸電機(jī)啟動(dòng)后在規(guī)定的時(shí)間里未能成功達(dá)到額定轉(zhuǎn)速而嘗試再次啟動(dòng)的次數(shù)。數(shù)據(jù)量的增加表示電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路或是機(jī)械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題,整機(jī)供電不足也會導(dǎo)致這一問題。-
0B(011)磁頭校準(zhǔn)重試計(jì)數(shù) Calibration Retry Count–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值。-
硬盤在溫度發(fā)生變化時(shí),機(jī)械部件(特別是盤片)會因熱脹冷縮出現(xiàn)形變,因此需要執(zhí)行磁頭校準(zhǔn)**作消除誤差,有的硬盤還內(nèi)置了磁頭定時(shí)校準(zhǔn)功能。這一項(xiàng)記錄了需要再次校準(zhǔn)(通常因上次校準(zhǔn)失敗)的次數(shù)。-
這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)量增加,表示電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路或是機(jī)械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題,但有些型號的新硬盤也有一定的數(shù)據(jù)量,并不表示有問題,還要看當(dāng)前值和最差值。-
0C(012)通電周期計(jì)數(shù) Power Cycle Count–
通電周期計(jì)數(shù)的數(shù)據(jù)值表示了硬盤通電/斷電的次數(shù),即電源開關(guān)次數(shù)的累計(jì),新硬盤通常只有幾次。-
這一項(xiàng)與啟停計(jì)數(shù)(04)是有區(qū)別的,一般來說,硬盤通電/斷電意味著計(jì)算機(jī)的開機(jī)與關(guān)機(jī),所以經(jīng)歷一次開關(guān)機(jī)數(shù)據(jù)才會加1;而啟停計(jì)數(shù)(04)表示硬盤主軸電機(jī)的啟動(dòng)/停止(硬盤在運(yùn)行時(shí)可能多次啟停,如系統(tǒng)進(jìn)入休眠或被設(shè)置為空閑多少時(shí)間而關(guān)閉)。所以大多情況下這個(gè)通電/斷電的次數(shù)會小于啟停計(jì)數(shù)(04)的次數(shù)。-
通常,硬盤設(shè)計(jì)的通電次數(shù)都很高,如至少5000次,因此這一計(jì)數(shù)只是壽命參考值,本身不具指標(biāo)性。-
0D(013)軟件讀取錯(cuò)誤率 Soft Read Error Rate–
軟件讀取錯(cuò)誤率也稱為可校正的讀取誤碼率,就是報(bào)告給**作系統(tǒng)的未經(jīng)校正的讀取錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)值越低越好,過高則可能暗示盤片磁介質(zhì)有問題。-
AA(170)壞塊增長計(jì)數(shù) Grown Failing Block Count(Micron 鎂光)–
讀寫失敗的塊增長的總數(shù)。-
AB(171)編程失敗塊計(jì)數(shù) Program Fail Block Count–
Flash編程失敗塊的數(shù)量。-
AC(172)擦寫失敗塊計(jì)數(shù) Erase Fail Block Count–
擦寫失敗塊的數(shù)量。-
AD(173)磨損平衡**作次數(shù)(平均擦寫次數(shù)) / Wear Leveling Count(Micron 鎂光)–
所有好塊的平均擦寫次數(shù)。-
Flash芯片有寫入次數(shù)限制,當(dāng)使用FAT文件系統(tǒng)時(shí),需要頻繁地更新文件分配表。如果閃存的某些區(qū)域讀寫過于頻繁,就會比其它區(qū)域磨損的更快,這將明顯縮短整個(gè)硬盤的壽命(即便其它區(qū)域的擦寫次數(shù)還遠(yuǎn)小于最大限制)。所以,如果讓整個(gè)區(qū)域具有均勻的寫入量,就可明顯延長芯片壽命,這稱為磨損均衡措施。-
AE(174)意外失電計(jì)數(shù) Unexpected Power Loss Count–
硬盤自啟用后發(fā)生意外斷電事件的次數(shù)。-
B1(177)磨損范圍對比值 Wear Range Delta–
磨損最重的塊與磨損最輕的塊的磨損百分比之差。-
B4(180)未用的備用塊計(jì)數(shù) Unused Reserved Block Count Total(惠普)–
固態(tài)硬盤會保留一些容量來準(zhǔn)備替換損壞的存儲單元,所以可用的預(yù)留空間數(shù)非常重要。這個(gè)參數(shù)的當(dāng)前值表示的是尚未使用的預(yù)留的存儲單元數(shù)量。-
B5(181)編程失敗計(jì)數(shù) Program Fail Count–
用4個(gè)字節(jié)顯示已編程失敗的次數(shù),與(AB)參數(shù)相似。-
B5(181)非4KB對齊訪問數(shù) Non-4k Aligned Access(Micron 鎂光)–
B6(182)擦寫失敗計(jì)數(shù) Erase Fail Count–
用4個(gè)字節(jié)顯示硬盤自啟用后塊擦寫失敗的次數(shù),與(AC)參數(shù)相似。-
B7(183)串口降速錯(cuò)誤計(jì)數(shù) SATA Downshift Error Count–
這一項(xiàng)表示了SATA接口速率錯(cuò)誤下降的次數(shù)。通常硬盤與主板之間的兼容問題會導(dǎo)致SATA傳輸級別降級運(yùn)行。-
B8(184)I/O錯(cuò)誤檢測與校正 I/O Error Detection and Correction(IOEDC)–
“I/O錯(cuò)誤檢測與校正”是惠普公司專有的**ART IV技術(shù)的一部分,與其他制造商的I/O錯(cuò)誤檢測和校正架構(gòu)一樣,它記錄了數(shù)據(jù)通過驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部高速緩存RAM傳輸?shù)街鳈C(jī)時(shí)的奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤數(shù)量。-
B8(184)點(diǎn)到點(diǎn)錯(cuò)誤檢測計(jì)數(shù) End to End Error Detection Count–
Intel第二代的34nm固態(tài)硬盤有點(diǎn)到點(diǎn)錯(cuò)誤檢測計(jì)數(shù)這一項(xiàng)。固態(tài)硬盤里有一個(gè)LBA(logical block addressing,邏輯塊地址)記錄,這一項(xiàng)顯示了SSD內(nèi)部邏輯塊地址與真實(shí)物理地址間映射的出錯(cuò)次數(shù)。-
B8(184)原始壞塊數(shù) Init Bad Block Count(Indilinx芯片)–
硬盤出廠時(shí)已有的壞塊數(shù)量。-
B9(185)磁頭穩(wěn)定性 Head Stability(西部數(shù)據(jù))–
意義不明。-
BA(186)感應(yīng)運(yùn)算振動(dòng)檢測 nduced Op-Vibration Detection(西部數(shù)據(jù))–
意義不明。-
BB(187)無法校正的錯(cuò)誤 Reported Uncorrectable Errors(希捷)–
報(bào)告給**作系統(tǒng)的無法通過硬件ECC校正的錯(cuò)誤。如果數(shù)據(jù)值不為零,就應(yīng)該備份硬盤上的數(shù)據(jù)了。-
報(bào)告給**作系統(tǒng)的在所有存取命令中出現(xiàn)的無法校正的RAISE(URAISE)錯(cuò)誤。-
BC(188)命令超時(shí) Command Timeout–
由于硬盤超時(shí)導(dǎo)致**作終止的次數(shù)。通常數(shù)據(jù)值應(yīng)為0,如果遠(yuǎn)大于零,最有可能出現(xiàn)的是電源供電問題或者數(shù)據(jù)線氧化致使接觸不良,也可能是硬盤出現(xiàn)嚴(yán)重問題。-
BD(189)高飛寫入 High Fly Writes–
磁頭飛行高度監(jiān)視裝置可以提高讀寫的可靠性,這一裝置時(shí)刻監(jiān)測磁頭的飛行高度是否在正常范圍來保證可靠的寫入數(shù)據(jù)。如果磁頭的飛行高度出現(xiàn)偏差,寫入**作就會停止,然后嘗試重新寫入或者換一個(gè)位置寫入。這種持續(xù)的監(jiān)測過程提高了寫入數(shù)據(jù)的可靠性,同時(shí)也降低了讀取錯(cuò)誤率。這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值就統(tǒng)計(jì)了寫入時(shí)磁頭飛行高度出現(xiàn)偏差的次數(shù)。-
BD(189)出廠壞塊計(jì)數(shù) Factory Bad Block Count(Micron 鎂光芯片)–
BE(190)氣流溫度 Airflow Temperature–
這一項(xiàng)表示的是硬盤內(nèi)部盤片表面的氣流溫度。在希捷公司的某些硬盤中,當(dāng)前值=(100-當(dāng)前溫度),因此氣流溫度越高,當(dāng)前值就越低,最差值則是當(dāng)前值曾經(jīng)到達(dá)過的最低點(diǎn),臨界值由制造商定義的最高允許溫度來確定,而數(shù)據(jù)值不具實(shí)際意義。許多硬盤也沒有這一項(xiàng)參數(shù)。-
BF(191)沖擊錯(cuò)誤率 G-sense error rate–
這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到機(jī)械沖擊導(dǎo)致出錯(cuò)的頻度。-
C0(192)斷電返回計(jì)數(shù) Power-Off Retract Count–
當(dāng)計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)或意外斷電時(shí),硬盤的磁頭都要返回??繀^(qū),不能停留在盤片的數(shù)據(jù)區(qū)里。正常關(guān)機(jī)時(shí)電源會給硬盤一個(gè)通知,即Standby Immediate,就是說主機(jī)要求將緩存數(shù)據(jù)寫入硬盤,然后就準(zhǔn)備關(guān)機(jī)斷電了(休眠、待機(jī)也是如此);意外斷電則表示硬盤在未收到關(guān)機(jī)通知時(shí)就失電,此時(shí)磁頭會自動(dòng)復(fù)位,迅速離開盤片。-
這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計(jì)了磁頭返回的次數(shù)。但要注意這個(gè)參數(shù)對某些硬盤來說僅記錄意外斷電時(shí)磁頭的返回動(dòng)作;而某些硬盤記錄了所有(包括休眠、待機(jī),但不包括關(guān)機(jī)時(shí))的磁頭返回動(dòng)作;還有些硬盤這一項(xiàng)沒有記錄。因此這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些硬盤上持續(xù)為0或稍大于0,但在另外的硬盤上則會大于通電周期計(jì)數(shù)(0C)或啟停計(jì)數(shù)(04)的數(shù)據(jù)。在一些新型節(jié)能硬盤中,這一參數(shù)的數(shù)據(jù)量還與硬盤的節(jié)能設(shè)計(jì)相關(guān),可能會遠(yuǎn)大于通電周期計(jì)數(shù)(0C)或啟停計(jì)數(shù)(04)的數(shù)據(jù),但又遠(yuǎn)小于磁頭加載/卸載計(jì)數(shù)(C1)的數(shù)據(jù)量。-
對于固態(tài)硬盤來說,雖然沒有磁頭的加載/卸載**作,但這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)量仍然代表了不安全關(guān)機(jī),即發(fā)生意外斷電的次數(shù)。-
C1(193)磁頭加載/卸載計(jì)數(shù) Load/Unload Cycle Count–
對于過去的硬盤來說,盤片停止旋轉(zhuǎn)時(shí)磁頭臂??坑诒P片中心軸處的停泊區(qū),磁頭與盤片接觸,只有當(dāng)盤片旋轉(zhuǎn)到一定轉(zhuǎn)速時(shí),磁頭才開始漂浮于盤片之上并開始向外側(cè)移動(dòng)至數(shù)據(jù)區(qū)。這使得磁頭在硬盤啟停時(shí)都與盤片發(fā)生摩擦,雖然盤片的停泊區(qū)不存儲數(shù)據(jù),但無疑啟停一個(gè)循環(huán),就使磁頭經(jīng)歷兩次磨損。所以對以前的硬盤來說,磁頭起降(加載/卸載)次數(shù)是一項(xiàng)重要的壽命關(guān)鍵參數(shù)。-
而在現(xiàn)代硬盤中,平時(shí)磁頭臂是??坑诒P片之外的一個(gè)專門設(shè)計(jì)的停靠架上,遠(yuǎn)離盤片。只有當(dāng)盤片旋轉(zhuǎn)達(dá)到額定轉(zhuǎn)速后,磁頭臂才開始向內(nèi)(盤片軸心)轉(zhuǎn)動(dòng)使磁頭移至盤片區(qū)域(加載),磁頭臂向外轉(zhuǎn)動(dòng)返回至??考芗葱遁d。這樣就徹底杜絕了硬盤啟停時(shí)磁頭與盤片接觸的現(xiàn)象,西部數(shù)據(jù)公司將其稱為“斜坡加載技術(shù)”。由于磁頭在加載/卸載過程中始終不與盤片接觸,不存在磁頭的磨損,使得這一參數(shù)的重要性已經(jīng)大大下降。-
這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值就是磁頭執(zhí)行加載/卸載**作的累計(jì)次數(shù)。從原理上講,這個(gè)加載/卸載次數(shù)應(yīng)當(dāng)與硬盤的啟停次數(shù)相當(dāng),但對于筆記本內(nèi)置硬盤以及臺式機(jī)新型節(jié)能硬盤來說,這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)量會很大。這是因?yàn)榇蓬^臂組件設(shè)計(jì)有一個(gè)固定的返回力矩,保證在意外斷電時(shí)磁頭能靠彈簧力自動(dòng)離開盤片半徑范圍,迅速返回停靠架。所以要讓硬盤運(yùn)行時(shí)磁頭保持在盤片的半徑之內(nèi),就要使磁頭臂驅(qū)動(dòng)電機(jī)(尋道電機(jī))持續(xù)通以電流。而讓磁頭臂在硬盤空閑幾分鐘后就立即執(zhí)行卸載動(dòng)作,返回到??考苌?,既有利于節(jié)能,又降低了硬盤受外力沖擊導(dǎo)致磁頭與盤片接觸的概率。雖然再次加載會增加一點(diǎn)尋道時(shí)間,但畢竟弊大于利,所以在這類硬盤中磁頭的加載/卸載次數(shù)會遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于通電周期計(jì)數(shù)(0C)或啟停計(jì)數(shù)(04)的數(shù)據(jù)量。不過這種加載/卸載方式已經(jīng)沒有了磁頭與盤片的接觸,所以設(shè)計(jì)值也已大大增加,通常筆記本內(nèi)置硬盤的磁頭加載/卸載額定值在30~60萬次,而臺式機(jī)新型節(jié)能硬盤的磁頭加載/卸載設(shè)計(jì)值可達(dá)一百萬次。-
C2(194)溫度 Temperature–
溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤內(nèi)部的當(dāng)前溫度。硬盤運(yùn)行時(shí)最好不要超過45℃,溫度過高雖不會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失,但引起的機(jī)械變形會導(dǎo)致尋道與讀寫錯(cuò)誤率上升,降低硬盤性能。硬盤的最高允許運(yùn)行溫度可查看硬盤廠商給出的數(shù)據(jù),一般不會超過60℃。-
不同廠家對溫度參數(shù)的當(dāng)前值、最差值和臨界值有不同的表示方法:希捷公司某些硬盤的當(dāng)前值就是實(shí)際溫度(攝氏)值,最差值則是曾經(jīng)達(dá)到過的最高溫度,臨界值不具意義;而西部數(shù)據(jù)公司一些硬盤的最差值是溫度上升到某值后的時(shí)間函數(shù),每次升溫后的持續(xù)時(shí)間都將導(dǎo)致最差值逐漸下降,當(dāng)前值則與當(dāng)前溫度成反比,即當(dāng)前溫度越高,當(dāng)前值越低,隨實(shí)際溫度波動(dòng)。-
C3(195)硬件ECC校正 Hardware ECC Recovered–
ECC(Error Correcting Code)的意思是“錯(cuò)誤檢查和糾正”,這個(gè)技術(shù)能夠容許錯(cuò)誤,并可以將錯(cuò)誤更正,使讀寫**作得以持續(xù)進(jìn)行,不致因錯(cuò)誤而中斷。這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值記錄了磁頭在盤片上讀寫時(shí)通過ECC技術(shù)校正錯(cuò)誤的次數(shù),不過許多硬盤有其制造商特定的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),因此數(shù)據(jù)量的大小并不能直接說明問題。-
C3(195)實(shí)時(shí)無法校正錯(cuò)誤計(jì)數(shù) On the fly ECC Uncorrectable Error Count–
這一參數(shù)記錄了無法校正(UECC)的錯(cuò)誤數(shù)量。-
C3(195)編程錯(cuò)誤塊計(jì)數(shù) Program Failure block Count(Indilinx芯片)–
C4(196)重映射事件計(jì)數(shù) Reallocetion Events Count–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。-
這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值記錄了將重映射扇區(qū)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到備用扇區(qū)的嘗試次數(shù),是重映射**作的累計(jì)值,成功的轉(zhuǎn)移和不成功的轉(zhuǎn)移都會被計(jì)數(shù)。因此這一參數(shù)與重映射扇區(qū)計(jì)數(shù)(05)相似,都是反映硬盤已經(jīng)存在不良扇區(qū)。-
C4(196)擦除錯(cuò)誤塊計(jì)數(shù) Erase Failure block Count(Indilinx芯片)–
在固態(tài)硬盤中,這一參數(shù)記錄了被重映射的塊編程失敗的數(shù)量。-
C5(197)當(dāng)前待映射扇區(qū)計(jì)數(shù) Current Pending Sector Count–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。-
這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)表示了“不穩(wěn)定的”扇區(qū)數(shù),即等待被映射的扇區(qū)(也稱“被掛起的扇區(qū)”)數(shù)量。如果不穩(wěn)定的扇區(qū)隨后被讀寫成功,該扇區(qū)就不再列入等待范圍,數(shù)據(jù)值就會下降。-
僅僅讀取時(shí)出錯(cuò)的扇區(qū)并不會導(dǎo)致重映射,只是被列入“等待”,也許以后讀取就沒有問題,所以只有在寫入失敗時(shí)才會發(fā)生重映射。下次對該扇區(qū)寫入時(shí)如果繼續(xù)出錯(cuò),就會產(chǎn)生一次重映射**作,此時(shí)重映射扇區(qū)計(jì)數(shù)(05)與重映射事件計(jì)數(shù)(C4)的數(shù)據(jù)值增加,此參數(shù)的數(shù)據(jù)值下降。-
C5(197)讀取錯(cuò)誤塊計(jì)數(shù)(不可修復(fù)錯(cuò)誤)Read Failure block Count(Indilinx芯片)–
C6(198)脫機(jī)無法校正的扇區(qū)計(jì)數(shù) Offline Uncorrectable Sector Count–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。-
這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)累計(jì)了讀寫扇區(qū)時(shí)發(fā)生的無法校正的錯(cuò)誤總數(shù)。數(shù)據(jù)值上升表明盤片表面介質(zhì)或機(jī)械子系統(tǒng)出現(xiàn)問題,有些扇區(qū)肯定已經(jīng)不能讀取,如果有文件正在使用這些扇區(qū),**作系統(tǒng)會返回讀盤錯(cuò)誤的信息。下一次寫**作時(shí)會對該扇區(qū)執(zhí)行重映射。-
C6(198)總讀取頁數(shù) Total Count of Read Sectors(Indilinx芯片)–
C7(199)Ultra ATA訪問校驗(yàn)錯(cuò)誤率 Ultra ATA CRC Error Rate–
這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計(jì)了通過接口循環(huán)冗余校驗(yàn)(Interface Cyclic Redundancy Check,ICRC)發(fā)現(xiàn)的數(shù)據(jù)線傳輸錯(cuò)誤的次數(shù)。如果數(shù)據(jù)值不為0且持續(xù)增長,表示硬盤控制器→數(shù)據(jù)線→硬盤接口出現(xiàn)錯(cuò)誤,劣質(zhì)的數(shù)據(jù)線、接口接觸不良都可能導(dǎo)致此現(xiàn)象。由于這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值不會復(fù)零,所以某些新硬盤也會出現(xiàn)一定的數(shù)據(jù)量,只要更換數(shù)據(jù)線后數(shù)據(jù)值不再繼續(xù)增長,即表示問題已得到解決。-
C7(199)總寫入頁數(shù) Total Count of Write Sectors(Indilinx芯片)–
C8(200)寫入錯(cuò)誤率 Write Error Rate / 多區(qū)域錯(cuò)誤率 Multi-Zone Error Rate(西部數(shù)據(jù))–
數(shù)據(jù)應(yīng)為0,當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。-
這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)累計(jì)了向扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)誤的總數(shù)。有的新硬盤也會有一定的數(shù)據(jù)量,若數(shù)據(jù)值持續(xù)快速升高(當(dāng)前值偏低),表示盤片、磁頭組件可能有問題。-
C8(200)總讀取指令數(shù) Total Count of Read Command(Indilinx芯片)–
C9(201)脫道錯(cuò)誤率 Off Track Error Rate / 邏輯讀取錯(cuò)誤率 Soft Read Error Rate–
數(shù)據(jù)值累積了讀取時(shí)脫軌的錯(cuò)誤數(shù)量,如果數(shù)據(jù)值不為0,最好備份硬盤上的資料。-
C9(201)TA Counter Detected(意義不明)–
C9(201)寫入指令總數(shù) Total Count of Write Command(Indilinx芯片)–
CA(202)數(shù)據(jù)地址標(biāo)記錯(cuò)誤 Data Address Mark errors–
此項(xiàng)的數(shù)據(jù)值越低越好(或者由制造商定義)。-
CA(202)TA Counter Increased(意義不明)–
CA(202)剩余壽命 Percentage Of The Rated Lifetime Used(Micron 鎂光芯片)–
當(dāng)前值從100開始下降至0,表示所有塊的擦寫余量統(tǒng)計(jì)。計(jì)算方法是以MLC擦寫次數(shù)除以50,SLC擦寫次數(shù)除以1000,結(jié)果取整數(shù),將其與100的差值作為當(dāng)前值(MLC預(yù)計(jì)擦寫次數(shù)為5000,SLC預(yù)計(jì)擦寫次數(shù)為100000)。-
CA(202)閃存總錯(cuò)誤bit數(shù) Total Count of error bits from flash(Indilinx芯片)–
CB(203)軟件ECC錯(cuò)誤數(shù) Run Out Cancel–
錯(cuò)誤檢查和糾正(ECC)出錯(cuò)的頻度。-
CB(203)校正bit錯(cuò)誤的總讀取頁數(shù) Total Count of Read Sectors with correct bits error(Indilinx芯片)–
CC(204)軟件ECC校正 Soft ECC Correction–
通過軟件ECC糾正錯(cuò)誤的計(jì)數(shù)。-
CC(204)壞塊滿標(biāo)志 Bad Block Full Flag(Indilinx芯片)–
CD(205)熱**動(dòng)錯(cuò)誤率 Thermal Asperity Rate (TAR)–
由超溫導(dǎo)致的錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)值應(yīng)為0。-
CD(205)最大可編程/擦除次數(shù) Max P/E Count(Indilinx芯片)–
CE(206)磁頭飛行高度 Flying Height–
磁頭距離盤片表面的垂直距離。高度過低則增加了磁頭與盤片接觸導(dǎo)致?lián)p壞的可能性;高度偏高則增大了讀寫錯(cuò)誤率。不過準(zhǔn)確地說,硬盤中并沒有任何裝置可以直接測出磁頭的飛行高度,制造商也只是根據(jù)磁頭讀取的信號強(qiáng)度來推算磁頭飛行高度。-
CE(206)底層數(shù)據(jù)寫入出錯(cuò)率 Write Error Rate–
CE(206)最小擦寫次數(shù) Erase Count Min(Indilinx芯片)–
CF(207)主軸過電流 Spin High Current–
數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機(jī)運(yùn)行時(shí)出現(xiàn)浪涌電流的次數(shù),數(shù)據(jù)量的增加意味著軸承或電機(jī)可能有問題。-
CF(207)最大擦寫次數(shù) Erase Count Max(Indilinx芯片)–
D0(208)主軸電機(jī)重啟次數(shù) Spin Buzz–
數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機(jī)反復(fù)嘗試啟動(dòng)的次數(shù),這通常是由于電源供電不足引起的。-
D0(208)平均擦寫次數(shù)Erase Count Average(Indilinx芯片)–
D1(209)脫機(jī)尋道性能 Offline Seek Performance–
這一項(xiàng)表示驅(qū)動(dòng)器在脫機(jī)狀態(tài)下的尋道性能,通常用于工廠內(nèi)部測試。-
D1(209)剩余壽命百分比 Remaining Life %(Indilinx芯片)–
D2(210)斜坡加載值 Ramp Load Value–
這一項(xiàng)僅見于幾年前邁拓制造的部分硬盤。通常數(shù)據(jù)值為0,意義不明。-
D2(210)壞塊管理錯(cuò)誤日志 BBM Error Log(Indilinx芯片)–
D3(211)寫入時(shí)振動(dòng) Vibration During Write–
寫入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部振動(dòng)的記錄。-
D3(211)SATA主機(jī)接口CRC寫入錯(cuò)誤計(jì)數(shù) SATA Error Count CRC (Write)(Indilinx芯片)–
D4(212)寫入時(shí)沖擊 Shock During Write–
寫入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部機(jī)械沖擊的記錄。-
D4(212)SATA主機(jī)接口讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù) SATA Error Count Count CRC (Read)(Indilinx芯片)–
DC(220)盤片偏移量 Disk Shift–
硬盤中的盤片相對主軸的偏移量(通常是受外力沖擊或溫度變化所致),單位未知,數(shù)據(jù)值越小越好。-
DD(221)沖擊錯(cuò)誤率 G-sense error rate–
與(BF)相同,數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到外部機(jī)械沖擊或振動(dòng)導(dǎo)致出錯(cuò)的頻度。-
DE(222)磁頭尋道時(shí)間累計(jì) Loaded Hours–
磁頭臂組件運(yùn)行的小時(shí)數(shù),即尋道電機(jī)運(yùn)行時(shí)間累計(jì)。-
DF(223)磁頭加載/卸載重試計(jì)數(shù) Load/Unload Retry Count–
這一項(xiàng)與(C1)項(xiàng)類似,數(shù)據(jù)值累積了磁頭嘗試重新加載/卸載的次數(shù)。-
E0(224)磁頭阻力 Load Friction–
磁頭工作時(shí)受到的機(jī)械部件的阻力。-
E1(225)主機(jī)寫入數(shù)據(jù)量 Host Writes–
由于閃存的擦寫次數(shù)是有限的,所以這項(xiàng)是固態(tài)硬盤特有的統(tǒng)計(jì)。Intel的SSD是每當(dāng)向硬盤寫入了65536個(gè)扇區(qū),這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)就+1。如果用HDTune等軟件查看**ART時(shí)可以自己計(jì)算, Intel SSD Toolbox已經(jīng)為你算好了,直接就顯示了曾向SSD中寫入過的數(shù)據(jù)量。-
E2(226)磁頭加載時(shí)間累計(jì) Load ‘In’-time–
磁頭組件運(yùn)行時(shí)間的累積數(shù),即磁頭臂不在??繀^(qū)的時(shí)間,與(DE)項(xiàng)相似。-
E3(227)扭矩放大計(jì)數(shù) Torque Amplification Count–
主軸電機(jī)試圖提高扭矩來補(bǔ)償盤片轉(zhuǎn)速變化的次數(shù)。當(dāng)主軸軸承存在問題時(shí),主軸電機(jī)會嘗試增加驅(qū)動(dòng)力使盤片穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)。這個(gè)參數(shù)的當(dāng)前值下降,說明硬盤的機(jī)械子系統(tǒng)出現(xiàn)了嚴(yán)重的問題。-
E4(228)斷電返回計(jì)數(shù) Power-Off Retract Cycle–
數(shù)據(jù)值累計(jì)了磁頭因設(shè)備意外斷電而自動(dòng)返回的次數(shù),與(C0)項(xiàng)相似。-
E6(230)GMR磁頭振幅 GMR Head Amplitude–
磁頭“抖動(dòng)”,即正向/反向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的距離。-
E7(231)溫度 Temperature–
溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤內(nèi)部的當(dāng)前溫度,與(C2)項(xiàng)相同。-
E7(231)剩余壽命 SSD Life Left–
剩余壽命是基于P/E周期與可用的備用塊作出的預(yù)測。新硬盤為100;10表示PE周期已到設(shè)計(jì)值,但尚有足夠的保留塊;0表示保留塊不足,硬盤將處于只讀方式以便備份數(shù)據(jù)。-
E8(232)壽命余量 Endurance Remaining–
壽命余量是指硬盤已擦寫次數(shù)與設(shè)計(jì)最大可擦寫次數(shù)的百分比,與(CA)項(xiàng)相似。-
E8(232)預(yù)留空間剩余量 Available Reserved Space(Intel芯片)–
對于Intel的SSD來說,前邊05項(xiàng)提到會保留一些容量來準(zhǔn)備替換損壞的存儲單元,所以可用的預(yù)留空間數(shù)非常重要。當(dāng)保留的空間用盡,再出現(xiàn)損壞的單元就將出現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失,這個(gè)SSD的壽命就結(jié)束了。所以僅看05項(xiàng)意義并不大,這一項(xiàng)才最重要。這項(xiàng)參數(shù)可以看當(dāng)前值,新的SSD里所有的預(yù)留空間都在,所以是100。隨著預(yù)留空間的消耗,當(dāng)前值將不斷下降,減小到接近臨界值(一般是10)時(shí),就說明只剩下10%的預(yù)留空間了,SSD的壽命將要結(jié)束。這個(gè)與(B4)項(xiàng)相似。-
E9(233)通電時(shí)間累計(jì) Power-On Hours–
對于普通硬盤來說,這一項(xiàng)與(09)相同。-
E9(233)介質(zhì)磨耗指數(shù) Media Wareout Indicator(Intel芯片)–
由于固態(tài)硬盤的擦寫次數(shù)是有限的,當(dāng)?shù)竭_(dá)一定次數(shù)的時(shí)候,就會出現(xiàn)大量的單元同時(shí)損壞,這時(shí)候預(yù)留空間也頂不住了,所以這項(xiàng)參數(shù)實(shí)際上表示的是硬盤設(shè)計(jì)壽命。Intel的SSD要看當(dāng)前值,隨著NAND的平均擦寫次數(shù)從0增長到最大的設(shè)計(jì)值,這一參數(shù)的當(dāng)前值從開始的100逐漸下降至1為止。這表示SSD的設(shè)計(jì)壽命已經(jīng)終結(jié)。當(dāng)然到達(dá)設(shè)計(jì)壽命也不一定意味著SSD就立即報(bào)廢,這與閃存芯片的品質(zhì)有著很大的關(guān)系。-
注:Total Erase Count全擦寫計(jì)數(shù)是指固態(tài)硬盤中所有塊的擦寫次數(shù)的總和,不同規(guī)格的NAND芯片以及不同容量的SSD,其最大全擦寫次數(shù)均有所不同。-
F0(240)磁頭飛行時(shí)間 Head Flying Hours / 傳輸錯(cuò)誤率 Transfer Error Rate(富士通)–
磁頭位于工作位置的時(shí)間。-
富士通硬盤表示在數(shù)據(jù)傳輸時(shí)連接被重置的次數(shù)。-
F1(241)LBA寫入總數(shù) Total LBAs Written–
LBA寫入數(shù)的累計(jì)。-
F1(241)寫入剩余壽命 Lifetime Writes from Host–
自硬盤啟用后主機(jī)向硬盤寫入的數(shù)據(jù)總量,以4個(gè)字節(jié)表示,每寫入64GB字節(jié)作為一個(gè)單位。-
F2(242)LBA讀取總數(shù) Total LBAs Read–
LBA讀取數(shù)的累計(jì)。某些**ART讀取工具會顯示負(fù)的數(shù)據(jù)值,是因?yàn)椴捎昧?8位LBA,而不是32位LBA。-
F2(242)讀取剩余壽命 Lifetime Reads from Host–
自硬盤啟用后主機(jī)從硬盤讀取的數(shù)據(jù)總量,以4個(gè)字節(jié)表示,每讀取64GB字節(jié)作為一個(gè)單位。-
FA(250)讀取錯(cuò)誤重試率 Read Error Retry Rate–
從磁盤上讀取時(shí)出錯(cuò)的次數(shù)。-
FE(254)自由墜落保護(hù) Free Fall Protection–
現(xiàn)在有些筆記本硬盤具有自由墜落保護(hù)功能,當(dāng)硬盤內(nèi)置的加速度探測裝置檢測到硬盤位移時(shí),會立即停止讀寫**作,將磁頭臂復(fù)位。這個(gè)措施防止了磁頭與盤片之間發(fā)生摩擦撞擊,提高了硬盤的抗震性能。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)里記錄了這一保護(hù)裝置動(dòng)作的次數(shù)。-
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