本文的標題是聞泰科技取得階段性重大進展 自主設計研發IGBT系列產品流片成功由吉吉由網絡上轉載而成
【手機之家**】3月9日,聞泰科技股份有限公司日前宣布,旗下專注高壓功率器件、模擬 IC 等新產品研發方向的全資子公司 Nexperia B.V.(“安世半導體”)自主設計研發的絕緣柵雙極晶體管(Insulated GateBipolar Transistor ,以下簡稱“IGBT”)系列產品已流片成功,取得階段性重大進展,各項參數均達到設計要求。

據了解,IGBT是電源轉換的核心器件,也是新能源與節能低碳經濟的主要支撐技術,具有開關速度快、載流密度大等特點,并擁有廣泛的應用市場,主要面向新能源汽車、光伏/風力發電、智能電網、大功率電源、工業控制、家電產品等領域。其市場空間大、技術壁壘高且注重工程師經驗和品牌口碑積累,是半導體里的優質賽道。
目前,IGBT 流片成功后,仍需經過客戶驗證,后續量產計劃具有不確定性。
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