本文的標(biāo)題是聞泰科技取得階段性重大進(jìn)展 自主設(shè)計(jì)研發(fā)IGBT系列產(chǎn)品流片成功由吉吉由網(wǎng)絡(luò)上轉(zhuǎn)載而成
【手機(jī)之家**】3月9日,聞泰科技股份有限公司日前宣布,旗下專(zhuān)注高壓功率器件、模擬 IC 等新產(chǎn)品研發(fā)方向的全資子公司 Nexperia B.V.(“安世半導(dǎo)體”)自主設(shè)計(jì)研發(fā)的絕緣柵雙極晶體管(Insulated GateBipolar Transistor ,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“IGBT”)系列產(chǎn)品已流片成功,取得階段性重大進(jìn)展,各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

據(jù)了解,IGBT是電源轉(zhuǎn)換的核心器件,也是新能源與節(jié)能低碳經(jīng)濟(jì)的主要支撐技術(shù),具有開(kāi)關(guān)速度快、載流密度大等特點(diǎn),并擁有廣泛的應(yīng)用市場(chǎng),主要面向新能源汽車(chē)、光伏/風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、大功率電源、工業(yè)控制、家電產(chǎn)品等領(lǐng)域。其市場(chǎng)空間大、技術(shù)壁壘高且注重工程師經(jīng)驗(yàn)和品牌口碑積累,是半導(dǎo)體里的優(yōu)質(zhì)賽道。
目前,IGBT 流片成功后,仍需經(jīng)過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證,后續(xù)量產(chǎn)計(jì)劃具有不確定性。
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